本文是学习GB-T 26069-2022 硅单晶退火片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、
运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 12962 硅单晶
GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 29504 300 mm 硅单晶
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29508 300 mm 硅单晶切割片和磨削片
GB/T 32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法
GB/T 39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
GB/T14264 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
退火片 annealed wafer
在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷[包括晶体原生凹
坑(COP)] 的硅片。
GB/T 26069—2022
3.2
技术代 technology generation
在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。
注：技术代也称为技术节点。
退火片按技术代分为180 nm、130 nm、90 nm、65 nm、45 nm、32 nm 和22 nm
七种规格，其他规格
由供需双方协商确定。
退火片的基本要求应符合 GB/T 12962、GB/T 29504、GB/T 12965、GB/T 29508
及表1的规定。
除导电类型、电阻率外的基本要求指标，仅由供方提供各项检验结果。
表 1 基本要求
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm |
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GB/T 26069—2022
表 1 基本要求(续)
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm |
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退火片的几何参数应符合表2的规定，或由供需双方协商确定。
表 2 几何参数
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm |
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退火片表面应无崩边、划伤(宏观),其他表面质量应符合表3的规定，或由供需双方协商确定。
表 3 表面质量
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm | ||
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GB/T 26069—2022
表 3 表 面 质 量 ( 续 )
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm | |
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退火片正表面的金属含量应符合表4的规定，或由供需双方协商确定。
表 4 表面金属含量
单位为10¹⁰每平方厘米
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180 nm | 130 nm | 90 nm | 65 nm | 45 nm | 32 nm | 22 nm |
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5.5.1 退火片的氧化诱生缺陷、体金属(铁)含量、洁净区宽度(DZ)、
体微缺陷密度(BMD) 由供需双方
协商确定。
5.5.2 需方如对退火片的其他性能有特殊要求，由供需双方协商确定。
6.1 退火片导电类型的测试按GB/T 1550 的规定进行。
6.2 退火片电阻率的测试按GB/T 6616 的规定进行。
6.3 退火片厚度、总厚度变化及平整度、局部平整度的测试按GB/T 29507
的规定进行。
6.4 退火片翘曲度的测试按GB/T32280 的规定进行。
6.5 退火片正表面的局部光散射体、划伤(微观)等的测试按GB/T 19921
的规定进行。
6.6 退火片背表面光泽度的测试用光泽度仪进行。
6.7 退火片的其他表面质量检验按 GB/T 6624 的规定进行。
GB/T 26069—2022
6.8 退火片表面金属含量的测试按GB/T 39145
的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。
6.9 退火片氧化诱生缺陷的检验按GB/T 4058 的规定进行。
6.10 退火片体金属(铁)含量的检测按 YS/T679
的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。
6.11 退火片洁净区宽度、体微缺陷密度的检验按供需双方协商确定的方法进行。
7.1.1
产品由供方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定，并填写质量保证书。
7.1.2
需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验，如检验结果与本文件或订货单的规定不符时，
应在收到产品之日起三个月内以书面形式向供方提出，或由供需双方协商解决。
退火片应成批提交验收，每批应由相同规格的退火片组成，组批方式也可由供需双方协商确定。
7.3.1
每批退火片应对导电类型、电阻率、几何参数、表面质量、表面金属含量、氧化诱生缺陷进行
检验。
7.3.2
退火片的体金属(铁)含量、洁净区宽度、体微缺陷密度是否检验由供需双方协商确定。
7.4.1 非破坏性测试项目的检验取样按GB/T
2828.1—2012中一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方
案进行，或按供需双方协商确定的抽样方案进行。
7.4.2 破坏性测试项目的检验取样按 GB/T 2828.1—2012 中特殊检验水平
S-2,正常检验一次抽样方 案进行，或按供需双方协商确定的抽样方案进行。
7.5.1 导电类型的检验结果中有任意一片不合格时，判该批产品为不合格。
7.5.2
电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、翘曲度、局部平整度、表面质量(目检)的接收质量限
(AQL) 见表5,或由供需双方协商确定。
表 5 退火片表面检测项目和接收质量限
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GB/T 26069—2022
表 5 退火片表面检测项目和接收质量限 ( 续 )
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7.5.3
平整度、局部光散射体、划伤(微观)、雾、表面金属、体金属(铁)含量、氧化诱生缺陷、洁净区宽
度、体微缺陷密度检验结果的判定由供需双方协商确定。
7.5.4
抽检不合格的产品，供方可对不合格项目进行逐片检验，除去不合格品后，合格品可以重新
组批。
退火片的包装按 YS/T28 的规定进行，也可由供需双方协商确定。
8.2.1 在检验合格的退火片包装盒上张贴标签，其上注明：
a) 产品名称；
b) 产品规格；
c) 产品批号；
d) 产品数量。
8.2.2 退火片应成箱包装，每箱外侧应注明：
a) 供方名称；
b) 产品名称；
c) 产品数量；
d) "小心轻放""防潮""易碎""防腐"标志或字样。
退火片在运输过程中应轻装轻卸，不应挤压，应采取防震、防潮措施。
退火片应贮存在清洁、干燥的环境中。
每批退火片应附有随行文件，其上注明：
a) 供方名称；
b) 产品名称及规格；
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c) 产品批号；
d) 产品片数(盒数);
e) 各项参数检验结果和检验部门的印记；
f) 出厂日期；
g) 本文件编号。
需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内，列出下列内容：
a) 产品名称；
b) 产品技术要求；
c) 产品数量；
d) 本文件编号；
e) 其他。
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供需双方协商确定